Новый тип флеш-памяти анонсировали в Японии

 |  Автор: Максим Григорьев
Новый тип флеш-памяти анонсировали в Японии
techpowerup.com

В новинке используется технология памяти с ловушкой заряда. Чип, основанный на разработке Spansion MirrorBit, изготовлен на предприятии Elpida в Хиросиме.

Главное отличие новой технологии — плавающий затвор памяти с ловушкой заряда и упрощенным устройством ячейки. Называется она SLC NAND. Плотность записи на такой носитель — 4 Гбит. Работать этот модуль может при напряжении 1,8 В. С помощью нового чипа можно создавать более миниатюрные накопители, чем сейчас. К тому же, они имеют высокую скорость чтения и записи.

Поставки ознакомительных образцов чипов начнутся в четвертом квартале этого года. Массовый выпуск Elpida обещает начать уже начале 2011 года. Кроме того, в разработке находятся изделия плотностью 2 и 1 Гбит.

В планах производителя — объединение памяти типа NAND с оперативной памятью Mobile RAM. Такой подход позволит создавать миниатюрные чипы для мобильных, но с гораздо большей вместительностью. 



Не пропусти другие интересные статьи, подпишись:
Мы в социальных сетях