Микросхемы станут еще компактнее

Сотрудники компании ASML придумали как с помощью улучшенного метода фотолитографии, который используют для производства микропроцессоров, выпускать еще более компактные чипы.

9 августа 2013, 16:55

Reuters

Способ, которым пользуются производителивот уже полвека, заключается в непрерывном увеличении числа транзисторов накристаллах кремниевых пластин. Первым, кто оформил этот метод в виде теории, стал соучредитель Intel Гордон Мур в 1965 году.

Мур предполагал, что число транзисторов накристалле микропроцессора будет удваиваться раз в два года. Как выяснилось, существуетпредел, превышать который не рекомендуется из-за физических ограничений:количество полупроводников из кремния нельзя увеличивать до бесконечности.

У ASML появилась идея какобойти это ограничение при помощи технологии фотолитографии в глубокомультрафиолете (EUV). Новаторский метод заключается в том, чтобы"печатать" на кремниевой пластине транзисторы, с помощью света сдлиной волны около 13 нм. Для сравнения, современные DUV-установки предлагают248 нм, т.е. почти в 20 раз больше.

ASML утверждает, что стала первопроходцемв создании степпер, который благодаря EUV-излучению сможет выпускать10-нанометровые чипы. Кроме того, компания сообщает, что оборудование длямассового производства таких микросхем может быть готово к использованию уже в2015 году.

На данный момент существуют ограничения идля изобретенного ASML степпера. Известно, что EUV-лазер прототипа излучаетсвет мощностью 55 ватт, в то время как коммерческому степперу необходимо какминимум 250 ватт.